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消息称三星良率问题已解决,3nm GAA制程如期量产
ZAEKE资讯 198 2022.05.13

三星电子曾表示会在本季度(即这几周)开始基于早期的3nm级栅极全能3GAE工艺进行大规模的量产,不过考虑到更早之前业界曾传出三星3nm工艺的良率仅有20%-30%,或许会拖慢整个量产的进程,这也引起了业界和股东们的担忧。

而据当前电子时报的消息,业界已经传出消息称,三星3nm低良率的问题已被解决,并且将采用比台积电更激进的3nm GAA制程进行生产。这不仅标志着业界首创3nm级制造技术,也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的关键点。

image2.png

三星曾表示,3nm GAA可以大幅增强晶体管的性能,同时与7nm制程工艺相比,逻辑面积效率增强45%以上,性能提升约35%,而功耗能降低一半,纸面参数优于台积电使用的旧工艺3nm FinFET。

文章仅代表作者:ZAEKE资讯 个人观点,与本站立场无关

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