三星于近日宣布，已经成功将EUV（极紫外光刻）工艺率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。目前已经出货的100万个使用该技术的10nm DDR4 DRAM已经完成了全球客户的评估，计划在今年下半年开始在韩国平泽市建立第二条半导体生产线，专门生产10nm EUV DRAM芯片。

按照三星方面的介绍，之所以将EUV工艺应用在DRAM芯片，是因为该技术不仅能提高DRAM芯片的性能，还对产量有着不少的帮助。三星计划为10nm DRAM或高端14nm DRAM导入EUV工艺，明年开始大规模量产基于10nm DRAM的DDR5和LPDDR5 DRAM芯片，以满足客户的需求。

除三星之外，早前英特尔和台积电等半导体巨头也表示准备扩大EUV工艺在芯片生产中的应用。或许在未来，我们将会看到更多的终端设备使用上使用EUV工艺的DRAM芯片。